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纬湃科技「变与不变」的底气是什么?|DeepTalk专访
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SiC MOSFET 偏置 C-V 曲线:温度研究
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不同缓冲层生长条件下4H-SiC外延缺陷的研究
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波绕扁线定子(W-Pin),似乎并不简单|翟·笔记
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2024年中国碳化硅晶圆产能,或超全球总产能的50%

2023年,中国化合物半导体产业实现历史性突破。在碳化硅(SiC)晶体生长领域,中国尤其获得国际IDM的认可,导致产量大幅增长。此前中国碳化硅材料仅占全球约5%的产能,然而业界乐观预计,2024年中国碳化硅晶圆在全球的占比有望达到50%。

首批重磅嘉宾提前「剧透」,All in 800V!

2023新能源汽车800V高压系统产业大会将于11月16-17日在江苏·无锡举行,共同探讨800V技术发展路径,展望高电压平台落地前景,围绕热点问题和最新研究成果“头脑风暴”。

一文读懂碳化硅设计中的热管理

随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案,碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料变得越来越流行,特别是在一些具有挑战性的应用领域,如汽车驱动系统、直流快速充电、储能电站、不间断电源和太阳能发电。

SiC MOSFET 偏置 C-V 曲线:温度研究

由于碳化硅(SiC)具有高热导率和高带隙等优异特性,碳化硅(SiC)MOSFET 正在取代硅(Si)IGBT。尽管这项技术在过去几年取得了显著进步,但仍面临一些挑战。

双电机、多电机的「卷」

双电机四驱,顾名思义,通过采用前后轴双电机的方式来实现四驱。具体来看,新能源汽车采用了两个电动机,分别驱动前后轴,从而实现四轮驱动。这种驱动方式可以提高电动汽车的动力性能和操控性能,同时也可以提高车辆的通过性能。