慕尼黑电子展一直以来被称为「电子行业风向标」,近两年国产碳化硅的产业链发展逐渐走向成熟,此次「慕展」更是近30余家国产碳化硅企业组团亮相,逾50家公司展示了碳化硅产品。下面我们再一起回顾盘点一下本次「慕展」部分碳化硅企业


■ 五十五所

SiC器件及模组产品亮相


本次展会上,国基南方携射频 GaN功率器件、声表滤波器、SiC功率芯片与模块、FRED芯片、微显示OLED器件与模组、AR眼镜等多种产品参展。



日前,公司对外官宣国电科国基南方、55所研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1200万只,实现大批量稳定供货。


公司表示,国基南方、55所持续推进新能源汽车用碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用,贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台,率先在新能源汽车、光伏、智能电网等领域规模化应用,累计保障超过160万辆新能源汽车应用需求。



■ 基本半导体
第二代SiC MOSFET、Pcore™2 E2BSiC功率模块、门极驱动芯片


展会现场,基本半导体正式发布公司第二代SiC MOSFET产品、工业级碳化硅功率模块——Pcore™2 E2B模块以及门极驱动芯片系列新品, 进一步完善公司产品阵容。

▲ 为更好满足工业客户对于高功率密度的需求,基本半导体推出兼容EasyPACK™ 2B封装的工业级全碳化硅 MOSFET 功率模块Pcore™2 E2B。


▲ 基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。


▲ 基本半导体针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片,绝缘最大浪涌耐压可达8000V,驱动峰值电流高达正负15A,可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求

■ 泰科天润
首次展出1200V 80mΩ SiC MOSFET


泰科天润在本次展会上首次展出来公司的1200V 80mΩ SiC MOSFET、650V60A混合单管和2000V系列产品。

▲ 1200V 80mΩ SiC MOSFET具有更低的导通电阻,更低的开关损耗,更高的开关频率,更高的工作温度,Vth典型值超过3V。


▲ 公司已实现六寸碳化硅晶圆,稳定量产交付。

■ 上海瀚薪
新一代650V/1200V更低内阻的碳化硅MOSFET平台产品


今年,瀚薪在慕尼黑上海展上推出我们新一代650V/1200V更低内阻的碳化硅MOSFET平台,650V达到13mΩ,1200V达到18mΩ,同时还有1700V 500mΩ的新产品应用于光储充辅源方案。

此外,瀚薪推出了拥有自主专利并且系国内唯一的顶部散热封装—T2PAK,T2PAK封装体的尺寸加大,能够应用于更高功率操作的器件。

传统的封装体,其漏极端直接焊接在PCB板上,导热特性不够理想,采用新型的顶部散热封装形式,能够在封装体顶部额外连接散热片,显著提高器件的散热能力,大幅提升散热效率,降低散热成本,适用于自动化的SMD贴片封装等对可靠性要求比较高的场景,真正助力于提升系统的稳定性、一致性。


■ 瞻芯电子
650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品


瞻芯电子本次在展会现场展示来公司全系列碳化硅功率半导体和芯片产品。重点围绕新能源汽车应用、光伏与储能、充电桩领域,展示适用的碳化硅(SiC)MOSFET、碳化硅(SiC)二极管和功率模块,以及驱动芯片和参考设计方案。

目前,瞻芯电子已开发量产了650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品,规格参数齐全,且有多种贴片、插件、模块封装。

同时,围绕碳化硅应用,开发了多种系列栅极驱动芯片,包括SiC专用驱动、通用驱动、隔离型驱动。此外,瞻芯电子首创了一系列CCM模拟控制芯片。


■ 瑞能半导体
工业、光伏储能以及新能源汽车相关方向的全域功率半导体解决方案


本届慕尼黑上海电子展,瑞能半导体展出了包括碳化硅器件组合,Si-MOSFET, 可控硅与功率二极管,IGBT 等功率分立器件,以及各类型功率模块如双极性功率模块,碳化硅模块,IGBT模块。丰富的产品系列能覆盖光伏储能,工业以及新能源汽车应用的方方面面,更可以针对客户的需求提供定制化的解决方案。

在三代半导体领域,瑞能持续研发并推出多种碳化硅(SiC)半导体器件,累计出货量累计达4000万颗。目前,瑞能SiC二极管产品已完成六代产品开发,拥有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET产品已实现业内最低比导电阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2。目前正在进行第三代trench gate产品开发。


■ 湖南三安
自主开发的SiC MOSFET产品和工艺平台备受瞩目



三安半导体在本次展会上,围绕汽车电子、光储充、工业控制、消费电子等应用领域,全面展示了其碳化硅、氮化镓全产业链产品和创新技术。


展会现场展示了最新的产品系列,包括SiC MOSFET、SiC Schottky二极管和GaN HEMT等关键器件,其中自主开发的SiC MOSFET产品和工艺平台备受关注。


■ 爱仕特

第三代碳化硅MOSFET及模块新品



展会现场,深圳爱仕特携第三代碳化硅MOSFET系列新品以及全系车规级碳化硅功率模块、功率器件驱动器等产品亮相:


▲ 15V驱动电压,爱仕特第三代碳化硅MOSFET系列产品

▲ 爱仕特新一代汽车级DCS12封装SiC模块


目前,爱仕特公司产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗损的SiC模块,以及基于SiC模块的整机应用系统方案,各项性能指标达到国际水平,提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务,满足不同行业需求。


■ 瑶芯微

最小达到16mΩ碳化硅MOSFET芯片



瑶芯微此次带来参展的碳化硅产品覆盖650V、1200V、1700V,最小达到16mΩ,拥有更低的开关损耗、更高的可靠性和更安全的供应链,以及先进的设计能力,产品关键指标和国际一线品牌持平。



瑶芯微SiC MOSFET 有着丰富的技术积累及出色的制造工艺,可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性,非常适合硬开关和谐振开关拓扑。


■ 清纯半导体

高可靠性车规级SiC MOSFET


清纯半导体是目前国内极少数能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产车规级SiC MOSFET的企业之一,相关产品已经在新能源发电、新能源汽车等领域得到广泛应用。





■ 昕感科技

携数十款MOSFET和SBD产品亮相


昕感科技携数十款MOSFET和SBD产品亮相本次展会,产品包含了TO-220、TO-247、TO-252、TO-263等多种封装形式。1200V/80mΩ MOSFET器件已通过AEC-Q101认证,达到了车规级可靠性标准。同时为满足客户的不同需求、丰富自身产品系列,昕感科技首次发布了650V、40A的硅基IGBT器件。



昕感科技是聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和模块设计、开发和制造的高科技企业,成立于2020年9月,注册资本4300余万元,总部位于北京,并分别在江阴和深圳设有芯片器件生产线和研发中心。昕感科技致力于为新能源汽车及充电、新能源发电及储能、工业电源相关千亿级市场赋能,做中国功率半导体领域的变革引领者。



目前昕感科技在650V和1200V两个电压平台已推出数十款MOSFET和SBD产品,包含TO-220、TO-247、TO-252、TO-263等多种封装形式。1200V/80mΩ MOSFET器件已通过AEC-Q101认证,达到了车规级可靠性标准,也标志着在此工艺平台上开发的多款更低导通电阻的MOSFET器件达到了车规级可靠性认证的水平。


■ 晟芯半导体

国内首款拥有自主知识产权的工业级6吋1200V 70mΩ碳化硅MOSFET晶圆


晟芯半导体在展会上展示了旗下高效率SiC器件。值得注意的是,晟芯半导体国内首款拥有自主知识产权的工业级6吋1200V 70mΩ碳化硅MOSFET晶圆也在本次展会亮相:

该产品是晟芯世科团队经过半年多的紧张的设计与研发的成果

各项性能指标达到预期设计目标,处于国内领先水平;超低损耗,高频应用

可以大幅提高功率模块效率和频率,从而达到节能的目标;1200V半桥拓扑传统62mm封装,易于安装

以高性价比、高质量及高技术优势填补国内碳化硅功率半导体的部分空白市场



晟芯的目标是着重开发适用于高频逆变焊机、UPS领域的高功率系统电力电子产品;长期目标是成长为设计生产适用于各种高效绿色能源产业的高功率半导体器件的特色企业。


■ 扬杰科技

Fabless走向IDM,碳化硅即将发力



本次展会上,扬杰展出了公司多款硅基与碳化硅基的产品,在第三代半导体产业上扬杰也较早地实现布局,涉足碳化硅产品研发设计多年,形成了多项专利等知识产权,已成功开发并向市场推出SiC模块及650V SiC SBD、 1200V系列SiC SBD全系列产品。


▲ 扬杰现场展示了公司产品在汽车场景应用


根据规划,后续扬杰将在扬州市邗江区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目,总投资约10亿元,分两期实施建设,项目全部建成投产后,形成碳化硅6英寸晶圆产能5000片/月。意味着扬杰科技在SiC产业链的经营模式从Fabless往IDM模式靠近,进一步加速其SiC业务的拓展和规模的扩大。


■ 华润微

丰富产品线展示,碳化硅是发展重点


国内功率半导体龙头企业,华润微电子此次重磅展示了公司全产业链一体化经营的IDM模式、自主研发的功率器件、功率IC、第三代半导体产品、智能传感器、智能控制产品以及相关系统方案平台、制造与服务板块的特色工艺平台,全面展示了华润微电子领先的技术实力和丰富的产品线。



华润微现场展示了多个应用领域的产品解决方案,在汽车市场,公司目前已有沟槽栅 MOS、SJ MOS、IGBT、SiC MOS 等系列化车规级产品及模块产品,并已批量向头部整车厂商及汽车零部件 Tier1供应商进行供货。


■ 新洁能

紧跟碳化硅市场发展


展会现场,新洁能携子公司金兰半导体、国硅集成、电基集成,进行十大产品平台的成果展示,提供新能源汽车及充电桩、光伏储能、算力服务器和数据中心、工业自动化、智能家居、5G通讯等热门领域的解决方案。



工作人员介绍,公司具备独立的SiC MOSFET芯片设计能力和自主的工艺技术平台,已推出1200V60mohm SiC MOSFET等产品,通过相关电性能测试评估及可靠性考核,产品综合特性达到国际先进水平。


■ 重庆平伟

布局多年,已稳定量产SiC Mosfet


多年来重庆平伟专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等产品),现场,平伟工作人员告诉我们,公司2018年就开始布局碳化硅产品线,目前也已实现批量量产。



本次展会上,平伟实业携带众多展品参与,其中包括公司新型封装(DFN5*6双面散热、TOLL、STOLL等),EPS电机驱动解决方案以及新能源产品及应用方案——充电桩解决方案等,将现场为您带来新技术、新趋势、新理念的分享和讲解。



■ 平创半导体研究院

碳化硅产品系列稳步发展中


公司成立于2019年,公司主要提供以SiC、GaN为代表的第三代半导体技术和高效能量转换与控制技术服务,并针对电力电子行业和数字能源产业提供完整的系统及应用端解决方案。



本次展会,平创半导体研究院携产品650V-3300V碳化硅二极管、1200V/1700V碳化硅MOSFET器件与模块、硅基光伏二极管与模块(TO封装、R6封装、定制化光伏模块),小信号器件、中低压MOS、高性能工业控制及车规级功率器件与模块(650V/1200V/1700V IGBT、FRD系列)等半导体器件展品参加展会。



■ 纳微半导体

从GaN升级为GaN+SiC双擎驱动



展会现场,纳微工作人员给我们介绍,慕尼黑上海电子展是他们向客户直接展示最新技术成果的绝佳舞台,包括公司最新发布的GaNSense™️ Control合封技术、第五代MPS™️碳化硅肖特基二极管和大功率SiCPAK™模块等产品。


▲ 1200V,5mOhm到30mOhm的半桥拓扑(SiCPAKTM F1系列)产品


▲ 更小体积,更高效率的纳微GaN和SiC应用demo,与现场传统硅基应用demo对比


▲ 新能源汽车上各大应用GaN+SiC未来展望。形象直观地了解纳微正在研发的多种应用,如车载充电机、牵引逆变器、DC-DC转换器等。


纳微表示,战略转型成功后,公司后续的重点市场包括电动汽车、太阳能、储能、家用电器及工业制造、数据中心、移动设备和消费电子领域,预计到2026年可获得220亿美元每年市场机会。


■ 飞锃半导体

SiC产品潜力无限


本次展会,飞锃半导体携公司新一代SiC二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块亮相。



现场,飞锃展示了包括第二代650V 30/45/60mohm SiC MOSFET、第三代1200V 15/30/40/80mohm SiC MOSFET,该系列